Yb-ডোপড এবং Yb·Mg কোডোপড LiNbO3 একক স্ফটিক

লিথিয়াম নিওবেট (LiNbO3, LN) সবচেয়ে পরিচিত মাল্টিফাংশনাল উপাদানগুলির মধ্যে একটি, এর চমৎকার পাইজো, ফেরো, এবং পাইরো-বৈদ্যুতিক, ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল,আলোক বিচ্ছিন্নতা এবং অ-রৈখিক অপটিক্যাল (এনএলও) বৈশিষ্ট্যফলস্বরূপ, এটি পৃষ্ঠের অ্যাকোস্টিক তরঙ্গ ফিল্টার, ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল মডুলেটর এবং ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তরের জন্য এনএলও উপাদানগুলির উত্পাদনে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।LiNbO3 কে বিরল পৃথিবীর (RE) আয়ন দিয়ে ডোপ করা যেতে পারে যাতে নিকটতম ইনফ্রারেড রেঞ্জের দৃশ্যমান লেজার নির্গমন তৈরি হয়একই সময়ে, ইলেকট্রনিক স্ট্রাকচার সিমুলেশন পদ্ধতির মাধ্যমে অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলির উপর অন্তর্নিহিত Li/Nb ত্রুটির প্রভাব অধ্যয়ন করা হয়েছে,যেটি ইঙ্গিত করে যে ত্রুটিগুলি সংশ্লিষ্ট আলোক বিচ্ছিন্নকরণ সহগ এবং স্ব-ফ্রিকোয়েন্সির 30% পর্যন্ত পরিবর্তন হতে পারেসুতরাং, ডোপিংয়ের অভ্যন্তরীণ ত্রুটিগুলির উপর প্রভাবের কারণে ডোপিংয়ের প্রভাবের উপর গবেষণা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।

Yb3+:LiNbO3 এর সহজ শক্তি স্তর স্কিমের কারণে একটি দক্ষ লেজার স্ফটিক হিসাবে তৈরি করা যেতে পারে।(i) স্পেকট্রোস্কোপিক বৈশিষ্ট্য এবং আপ-রূপান্তর Er এ শক্তি স্থানান্তর সম্পর্কে গবেষণার উপর অনেক আগ্রহ ছিল: Yb: LiNbO3 লেজার, (ii) বাল্ক, ফাইবার এবং পর্যায়ক্রমে পোল্ড LiNbO3 (PPLN) কাঠামোর মধ্যে স্ব-ফ্রিকোয়েন্সি দ্বিগুণকরণ (SFD), এবং (iii) লেজার শীতল পরীক্ষা। তবে, Yb3 + এ ফোটোরিফ্রেক্টিভ ক্ষতিঃLiNbO3 গুরুতর এবং এর প্রয়োগের পরিসীমা সীমাবদ্ধ করে. এমজিও এর সাথে ডোপিং 5 মোল% এর ঘনত্বের সাথে সমান্তরাল এলএন (এমজিওসিএলএন) কার্যকরভাবে উচ্চ তীব্রতার আলোকসজ্জার অধীনে লেজার ডিভাইসে অপটিক্যাল ক্ষতি হ্রাস করে।LiNbO3 সব কঠিন রাষ্ট্র লেজারের জন্য একটি চমৎকার SFD সিস্টেম প্রমাণিত হয়েছে. পিপিএলএন কাঠামোতে কোসি-ফেজ মেলে যাওয়া একক ডোমেন স্ফটিকের তুলনায় কিছু সুবিধা দেখায়। এর বাইরেও কিছু গবেষক Yb:Mg এ Yb3+ আয়নগুলির দখলস্থানগুলিতে মনোযোগ নিবদ্ধ করেছেনঃইলেকট্রন প্যারাম্যাগনেটিক রেজোনেন্স (ইপিআর) বর্ণালী এবং সমবায় আলোকসজ্জা পরিমাপ করে LiNbO3সাম্প্রতিককালে, Yb3+: Er3+:Mg2+:LiNbO3 উচ্চ অপটিক্যাল মানের সঙ্গে উত্পাদিত হয়েছে।